Uvod
----
1. Linearna vezja, superpozicija
2. Kompleksorji, enosmeren del signala, izmeničen del
3. Nedločena admitančna matrika, orientacija vezja z izbrano skupno sponko
4. Delovna moč za izmenične signale
5. Theveninovo in Nortonovo nadomestno vezje
6. Razpoložljiva moč vira
7. Vhodne in prevajalne funkcije vezja
8. Obremenjen delilnik napetosti


Dvovhodna vezja
---------------
1. Admitančni parametri (Y), za kakšna vezja ne obstajajo
2. Hibridni h parametri (H), za kakšna vezja ne obstajajo
3. Pretvorba parametrov Y <-> H
4. Napetostno in tokovno ojačenje zaključenega vezja
5. Vhodna in izhodna admitanca zaključenega vezja
6. Ojačenje moči, koristno ojačenje moči, razpoložljivo ojačenje moči
7. Recipročnost
8. Aktivnost in pasivnost, Masonova invarianta, fmax elementa
9. Absolutna stabilnost in potencialna nestabilnost, Llewellynovi pogoji


Enačbe vezja
------------
1. Kirchoffova zakona in vozliščne enačbe
2. Hitro sestavljanje vozliščnih enačb za vezja z admitancami, napetostno 
   krmiljenimi tokovnimi viri in neodvisnimi tokovnimi viri
3. Modificirana vozliščna metoda
   (zapisovanje enačb vezij, ki vsebujejo napetostne vire)
4. Admitančne matrike tropola v različnih orientacijah
5. Vključitev tropola v enačbe vezja
   (zapisovanje enačb vezij, ki vsebujejo tropole, 
    npr. linearizirane modele tranzistorjev)

Enosmerne karakteristike elementov (nizke in srednje frekvence)
---------------------------------------------------------------
1. Polprevodniška in Zenerjeva dioda, diferencialna prevodnost v delovni točki, 
   nadomestno vezje za majhna odstopanja od delovne točke 
2. Admitančni parametri in nadomestno vezje za majhne signale 
   v izbrani delovni točki za nizke in srednje frekvence
   2a. bipolarnega tranzistorja v aktivnem področju
   2b. MOSFETa z induciranim/vgrajenim kanalom v področju nasičenja
   2c. JFETa v področju nasičenja

	 
Nelinearne kapacitivnosti
-------------------------
1. Definicija nelinearne kapacitivnosti in diferencialna kapacitivnost
2. Diferencialne kapacitivnosti in njihova odvisnost od delovne točke za
   2a. Diodo
   2b. Bipolarni tranzistor v aktivnem področju
   2c. JFET v področju nasičenja
   2d. MOSFET v področju nasičenja
   
   
Nastavljanje delovne točke
--------------------------
1. Dioda in Zenerjeva dioda
2. Bipolarni tranzistor
3. MOSFET z induciranim kanalom
4. MOSFET z vgrajenim kanalom in JFET


Od velikih k majhnim signalom
-----------------------------
1. Vezne in premostitvene kapacitivnosti
2. Popačenja, THD
3. Velikosignalna analiza, model vezja za majhne signale 
4. Analiza modela za majhne signale, pomen rezultatov

   
Lastnosti osnovnih vezav
------------------------
1. Srednjefrekvenčno območje in obravnava kapacitivnosti v vezju
2. Vezave 
   2a. Orientacija s skupnim emitorjem/izvorom
   2b. Orientacija s skupno bazo/vrati
   2c. Orientacija s kolektorjem/ponorom
   2d. Darlingtonova vezava
   2e. Kaskadna vezav ojačevalnih stopenj
   2f. Kaskodna vezava
   2g. Diferencialni ojačevalnik, načini krmiljenja, 
       diferencialno in sofazno ojačenje, 
       rejekcijski faktor, vhodna admitanca, izhodna admitanca
3. Uporaba osnovnih vezav
   3a. Tokovno zrcalo s tranzistorjm v orientaciji s skupnim emitorjem/izvorom
   3b. Tokovni vir z biporanim tranzistorjem in Zenerjevo diodo
   3c. Push-pull vezava komplementarnih tranzistorjev
   3d. Kaskodno tokovno zrcalo


Frekvenčna odvisnost linearnih vezij
------------------------------------
1. Odziv linearnega vezja 
   (delovna točka, prehodni pojav, odziv na majhno sinusno vzbujanje)
2. Prevajalna funkcija vezja, poli in ničle prevajalne funkcije, 
3. Bodejev diagram napetostnega in tokovnega ojačenja 


Spodnja in zgornja meja srednjefrekvenčnega območja
---------------------------------------------------
1. Delitev frekvenčnega območja na nizke, srednje in visoke frekvence
2. Določanje spodnje frekvenčne meje
3. Spodnja frekvenčna meja, ki jo vnesejo vezne in premostitvene kapacitivnosti
4. Model bipolarnega tranzistorja pri visokih frenvencah, poenostavitve modela, 
   potek beta(f), zveza med ft, cbe, cbc in g21
5. Model JFET tranzistorja pri visokih frekvencah in njegove poenostavitve
6. Model MOSFET tranzistorja pri visokih frekvencah in njegove poenostavitve
7. Zgornja frekvenčna meja pri kapacitivnem bremenu, 
   vpliv sond osciloskopa na meritve
8. Millerjeva preslikava
9. Zgornja frekvenčna meja 
   9a. Orientacije s skupnim emitorjem/izvorom
   9b. Orientacije s skupnim kolektorjem/ponorom
   9c. Orientacije s skupno bazo/vrati
   9d. Kaskodnega ojačevalnika
   9e. Diferencialnega ojačevalnika
	

Povratna vezava
---------------
1. Negativna in pozitivna povratna vezava
2. Negativna povratna vezava - vpliv na ojačenje pri srednjih frekvencah, 
   vpliv na enosmerno karakteristiko in popačenja 
3. Vpliv na frekvenčno karakteristiko (zgornjo in spodnjo frekvenčno mejo)
4. Vpliv na lego polov
5. Nyquistov diagram, stabilnostni kriterij, amplitudni in fazni razloček
6. Barkhausenov pogoj stabilnega nihanja na osnovi A in F ter 
   na osnovi determinante sistema enačb vezja
7. Lega polov oscilatorja
8. Analiza oscilatorjev z Barkhausenovim pogojem